特許

J-GLOBAL ID：200903092479843691

シリコン膜形成装置及びシリコン膜形成方法

発明者： 福山 恵一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228369
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 膜質が均一であるシリコン膜を形成可能なシリコン膜形成装置及びシリコン膜形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン膜形成装置20は、半導体原料液が塗布された基板8をヒータ6により加熱して基板8上にシリコン膜を形成させるシリコン膜形成装置であり、基板8の半導体原料液の塗布面8aと対向する位置に配設され、加熱により塗布面8aから気化した半導体原料を付着させる原料付着面9aを有するシリコン付着部材9を備える。

請求項（抜粋）：

半導体原料液が塗布された基体を加熱手段により加熱して基体上にシリコン膜を形成させるシリコン膜形成装置において、基体の半導体原料液の塗布面と対向する位置に配設され、加熱により塗布面から気化した半導体原料を付着させる原料付着面を有するシリコン付着部材を備えたことを特徴とするシリコン膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/208 Z ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AA11 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD03 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF07 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EB19 ,  5F045EB20 ,  5F053AA06 ,  5F053BB58 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH10 ,  5F053LL05 ,  5F053LL06 ,  5F053LL10 ,  5F053RR01