特許
J-GLOBAL ID：200903092485084387
薄膜形成装置およびそれを使用した薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199951
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025618
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は結晶性を容易に制御できる薄膜形成装置および該装置を使用した薄膜形成方法の提供を目的とする。【構成】 本発明の薄膜形成装置は、蒸発源支持および加熱部材と、イオンビームの向きに対して所定の方位になるように配置した基板保持部材と、該基板の加熱部材とを配置した真空槽、排気部材およびイオンビーム照射部材よりなる。
請求項（抜粋）：
蒸発源支持部材(a)、蒸発源加熱部材(b)、基板をイオンビームの向きに対して所定の結晶方位になるように保持した基板保持部材(c)ならびに該基板の加熱部材(d)とを配置した真空槽(A)、該真空槽内部を所定の圧力の真空状態とするための排気部材(B)およびイオンビーム照射部材(C)を有することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
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