高耐圧MOS型電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316894
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172189
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電位固定に有利なソース外周構造を採用して、ドレイン電極を引き出す際に高電圧変動によるノイズがゲート電極に干渉することがなく、かつドリフト領域の電界を緩和するためのフィールドプレートとしての機能を損なうことのないようにした高耐圧MOS型電界効果トランジスタを提供する。【構成】本発明によると、オフセット領域を備えた高耐圧MOS型電界効果トランジスタであって、ゲート酸化膜下のチャンネル領域に隣接する前記オフセット領域の表面には前記ゲート酸化膜よりも厚いフィールド酸化膜が形成されており、前記ゲート酸化膜上にはゲート電極が形成され、該ゲート電極は前記ゲート酸化膜に隣接する前記フィールド酸化膜上に延在してドリフト領域の高電界を緩和する構造の高耐圧MOS型電界効果トランジスタにおいて、ドレイン配線が前記ゲート電極上を通る領域で、該ゲート電極の全面を絶縁膜を介して覆うように、ソース電極もしくは接地電極に導通する金属配線を延在させて形成したことを特徴とする高耐圧MOS型電界効果トランジスタが提供される。

請求項（抜粋）：

オフセット領域を備えた高耐圧MOS型電界効果トランジスタであって、ゲート酸化膜下のチャンネル領域に隣接する前記オフセット領域の表面には前記ゲート酸化膜よりも厚いフィールド酸化膜が形成されており、前記ゲート酸化膜上にはゲート電極が形成され、該ゲート電極は前記ゲート酸化膜に隣接する前記フィールド酸化膜上に延在してドリフト領域の高電界を緩和する構造の高耐圧MOS型電界効果トランジスタにおいて、ドレイン配線が前記ゲート電極上を通る領域で、該ゲート電極の全面を絶縁膜を介して覆うように、ソース電極に導通する金属配線を延在させて形成したことを特徴とする高耐圧MOS型電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 D , H01L 29/78 301 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-087675
特開平2-087675
特開平2-087675

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