特許

J-GLOBAL ID：200903092485462926

TFT駆動薄膜EL素子

発明者： 経塚 信也
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226348
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094150
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 パネル面内の輝度ばらつきを抑え、表示品質を高めるとともに、大画面表示に対応できる薄膜EL素子の駆動回路を提供するTFT特性の安定したアクティブマトリクスパネルを得る。【構成】 薄膜エレクトロルミネッセンス素子(Cel)の発光制御用薄膜トランジスタ(TFT Q2)と、TFT Q2のゲート電極に接続された信号保持用キャパシタ(Cs)と、Csへのデータ書き込み用のTFT Q1を有したTFT駆動EL素子において、EL素子の発光を受光することによって、その抵抗が低下する素子(PD)をCs直列に接続しCsに電流(Ipd)を流して、TFT Q2のゲート電圧(Vg2)のフィールドスルーおよびドループによる低下を補償した。

請求項（抜粋）：

薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子と前記EL素子の発光制御用の薄膜トランジスタ(以後TFTという)と前記発光制御用のTFTのゲート電極に接続された信号保持用のキャパシタと前記キャパシタへのデータ書き込み用のTFTを有したTFT駆動薄膜EL素子において、前記EL素子の発光を受光することによって、その抵抗が低下する素子の一端を前記信号保持用のキャパシタのデータ書込み側に直列に接続し、他端を前記キャパシタを充電する電源に接続したことを特徴とするTFT駆動薄膜EL素子。

IPC (2件)：

G09G 3/30 ,  H05B 33/08