特許

J-GLOBAL ID：200903092487500370

シリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法

発明者： 桝村 寿 ,  鈴木 清 ,  中野 正己
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148630
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338548
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 鏡面研磨後のシリコンウエーハ表面の微弱な加工変質層の深さを簡便な操作で正確に測定できる方法を提供する。【構成】 CZ法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットを加工することにより得られる鏡面研磨後のシリコンウエーハの表面を、水酸化アンモニウム・過酸化水素・水からなる混合液で処理し、該処理面に発生するエッチピットの個数をパーティクルカウンタで測定し、エッチング総時間とエッチピット総数との関係から、エッチピットの発生速度が急激に低下する時点を検出し、エッチピットの増加率が急激に低下する時点を検出して、エッチング開始時点から前記エッチピットの増加率が急激に低下する時点までのエッチング時間td 等を求める。

請求項（抜粋）：

CZ法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットを加工することによって得られたシリコンウエーハの鏡面研磨面を、その成分と濃度および温度が一定のエッチング液でエッチングし、エッチングの総時間と、エッチングによりシリコンウエーハの表面に発生するエッチピットの総数との関係に基づいて、エッチピットの増加率が急激に低下する時点を検出してエッチング開始時点から前記エッチピットの増加率が急激に低下する時点までのエッチング時間td を求めるとともに、エッチピット増加率低下前におけるエッチピット増加率A1 とエッチピット増加率低下後のエッチピット増加率A2 を求め、他方加工変質層を除いたバルク層のエッチング速度αを別途求めておき、下式によりシリコンウエーハ表面加工変質層深さDd を求めることを特徴とするシリコンウエーハ表面の微弱加工変質層深さの測定方法。Dd =(A1 /A2 )×α×td