特許

J-GLOBAL ID：200903092495098572

半導体記憶装置

発明者： 樋口 光雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198198
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体記憶装置に係り、特に信頼性の向上したブロック消去型のフラッシュEEPROMに関し、ブロック毎の書き替え頻度に偏りがあるプログラムを使用する場合にも、素子としての寿命の低下をもたらすことの少ない半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 メモリセルアレイ10を複数のブロック11〜1nに分割し、各ブロック毎にセルデータの消去及び再書き込みが可能な半導体記憶装置であって、当該半導体装置の外部アドレスと各ブロックとの対応を変更するアドレス変更手段1を有して構成し、またアドレス変更手段1は、ブロック対応テーブル31と、書き込み指示手段33と、除外指示手段32と、制御手段34とを有して構成し、メモリセルアレイ10の有するブロック数は、外部アドレスでアクセス可能なブロック数以上である。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイ(10)を複数のブロック(11〜1n)に分割し、各ブロック毎にセルデータの消去及び再書き込みが可能な半導体記憶装置であって、当該半導体装置の外部アドレスと前記各ブロックとの対応を変更するアドレス変更手段(1)を有し、前記メモリセルアレイ(10)の有するブロック数は、外部アドレスでアクセス可能なブロック数以上であることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 301 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-232934   出願人：株式会社日立製作所