特許
J-GLOBAL ID：200903092503234464
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-342129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163157
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 低製造コスト、低消費電力、高速性を持ち合わせた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1のトランジスタは、高濃度基板領域15により高いしきい値電圧をもち、また、パンチスルーストッパー層9によりソース領域・ドレイン領域間のパンチスルーを抑制することができるので、オフリーク電流を低くでき、低消費電力に適しており、第2のトランジスタは、チャネル領域全域に低濃度チャネル領域13bを備えるので、低いしきい値電圧をもち、高い駆動電流をもつ。ソース・ドレイン拡散層11は、その底部に形成された低濃度基板領域7により接合容量を低減されている。電源オン時には第2のトランジスタ、電源オフ時には第1のトランジスタを用いる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型のウエルと、前記ウエルの第1のチャネル領域上に形成された第1のゲート酸化膜と、前記第1のゲート酸化膜上に形成され、前記ウエルとは絶縁された第1のゲート電極と、前記第1のチャネル領域の前記第1のゲート電極端部直下近傍に形成され、不純物濃度が前記ウエルより低い第1導電型の第1の低濃度チャネル領域と、前記第1のチャネル領域の前記第1のゲート電極中央部直下近傍に形成され、不純物濃度が前記第1の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第1の高濃度チャネル領域と、前記ウエルに前記第1のチャネル領域を挾んで互いに独立に設けられた第2導電型の第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、前記第1の低濃度チャネル領域下に前記第1のソース領域及び前記第1のドレイン領域側部に隣接して形成され、不純物濃度が前記第1の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第1の高濃度基板領域と、前記第1のソース領域及び前記第1のドレイン領域の底部に隣接して形成され、不純物濃度が前記ウエルよりも低い第1導電型の第1の低濃度基板領域と、をもつ第1のトランジスタからなる第1のトランジスタ領域と、前記ウエルと、前記ウエルの前記第1のチャネル領域よりも短いチャネル長をもつ第2のチャネル領域上に形成された第2のゲート酸化膜と、前記第2のゲート酸化膜上に形成され、前記ウエルとは絶縁され、チャネル長方向への長さが前記第1のゲート電極よりも短い第2のゲート電極と、前記第2のチャネル領域の前記第2のゲート電極直下近傍に形成され、不純物濃度が前記ウエルより低い第1導電型の第2の低濃度チャネル領域と、前記ウエルに前記第2のチャネル領域を挾んで互いに独立に設けられた第2導電型の第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、前記第2の低濃度チャネル領域下に前記第2のソース領域及び前記第2のドレイン領域側部に隣接して形成され、不純物濃度が前記第2の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第2の高濃度基板領域と、前記第2のソース領域及び前記第2のドレイン領域の底部に隣接して形成され、不純物濃度が前記ウエルよりも低い第1導電型の第2の低濃度基板領域と、をもち、前記第1のトランジスタとは、しきい値が異なる第2のトランジスタからなる第2のトランジスタ領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
H01L 27/08 102 B
, H01L 29/78 301 H
