特許

J-GLOBAL ID：200903092504338590

光導波路デバイス

発明者： 清野 實 ,  中沢 忠雄 ,  山根 隆志 ,  久保田 嘉伸 ,  土居 正治 ,  菅田 邦男 ,  倉橋 輝雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-257105
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 長期間に渡り安定に動作する定ことのできる光導波路デバイスを提供する。【構成】 電気光学結晶基板表面内に形成された光導波路と、前記光導波路上に形成されたバッファ層と、および前記バッファ層上に形成された前記光導波路の屈折率を変化させる電界を印加するための駆動電極とを含み、前記バッファ層が酸化シリコンと周期律表の三〜八族、一b族および二b族の金属元素およびシリコンを除く半導体元素から選ばれる1種またはそれ以上の元素の酸化物の少なくとも1種との混合物またはシリコンと前記金属元素および半導体元素から選ばれる1種またはそれ以上の元素との酸化物の透明絶縁体からなる。

請求項（抜粋）：

電気光学結晶基板表面内に形成された光導波路と、前記光導波路上に形成されたバッファ層と、および前記バッファ層上に形成された前記光導波路の屈折率を変化させる電界を印加するための駆動電極とを含み、前記バッファ層が酸化シリコンと周期律表の三〜八族、一b族および二b族の金属元素およびシリコンを除く半導体元素から選ばれる1種またはそれ以上の元素の酸化物の少なくとも1種との混合物、またはシリコンと前記金属元素および半導体元素から選ばれる1種またはそれ以上の元素との酸化物の透明絶縁体からなることを特徴とする光導波路デバイス。

IPC (2件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-019714
  
• 特開平4-346310