特許

J-GLOBAL ID：200903092510705626

半導体装置

発明者： 小泉 正博 ,  梶原 良一 ,  高橋 和弥 ,  守田 俊章 ,  西村 朝雄 ,  宮崎 忠一 ,  一谷 昌弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208548
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】ビッカース硬度が略100以下の硬度を有する金属膜上に無電解Auメッキ膜を形成して、Auワイヤとの接合性の良好な外部電極を得る。【解決手段】絶縁基板1上に形成した外部電極と半導体素子6と、前記外部電極と半導体素子間を接続するAuワイヤ8とからなり、前記外部電極は前記絶縁基板上に形成したCu配線膜2と、該配線膜上に形成した多層金属膜からなる半導体装置において、前記多層金属膜は最表面層に形成した無電解Auメッキ膜4と、該無電解Auメッキ膜と前記Cu配線膜間に形成した下地金属膜3からなり、該下地金属膜のビッカース硬度は略100以下である。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成した外部電極と半導体素子と、前記外部電極と半導体素子間を接続するAuワイヤとからなり、前記外部電極は前記絶縁基板上に形成したCu配線膜と、該配線膜上に形成した多層金属膜からなる半導体装置において、前記多層金属膜は最表面層に形成した無電解Auメッキ膜と、該無電解Auメッキ膜と前記Cu配線膜間に形成した下地金属膜からなり、該下地金属膜のビッカース硬度は略100以下であることを特徴とする半導体装置。

Fターム (2件)：

5F044AA03 ,  5F044FF04