特許
J-GLOBAL ID：200903092515105848
半導体レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314674
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135055
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 高温動作が可能で特性も良好な赤色発光のAlGaInP系半導体レーザーを実現する。【解決手段】 AlGaInP系半導体レーザーにおいて、活性層5とp型AlGaInPクラッド層8との間にp型ZnTe/ZnSe超格子クラッド層7を設ける。活性層5は例えば歪MQW構造とする。
請求項（抜粋）：
活性層をn型AlGaInPクラッド層およびp型AlGaInPクラッド層によりはさんだ構造を有する半導体レーザーにおいて、上記活性層と上記p型AlGaInPクラッド層との間にp型ZnTe/ZnSe超格子クラッド層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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