多チップモジュール用ESD回路を含む集積回路及びその方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262673
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124577
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】集積回路の多チップモジュールの静電放電保護に関する。【解決手段】 ESD損傷から保護されたりされなかったりするI/O回路を含む集積回路を提供する。ESD損傷からの保護は、I/O回路の1つまたはそれ以上において、選択的に非作動にされたり、作動されたり、少しも存在しなくなったりする。使用時、集積回路は、他の集積回路に接続されて多チップモジュールを形成し、そこで、モジュール間のI/O回路のESD保護が非作動にされるかまたは存在しなくなる。これは、多チップモジュールが形成されると、このI/O回路へのESD損傷の見込みが減るので好都合である。上記の包括的な説明と以下の詳細な説明は共に、本発明の模範的なものであって制限的なものではないことが理解されるべきである。

請求項（抜粋）：

第1の静電放電(ESD)保護回路と、第1のタイプのESD保護回路を不勢するのに適合された回路とを含むデバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/822 , H01L 21/82 , H01L 27/04

FI (4件)：

H01L 27/04 E , H01L 21/82 P , H01L 27/04 H , H01L 21/82 S

Fターム (14件)：

5F038BE04 , 5F038BE07 , 5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038DF02 , 5F038EZ20 , 5F064AA11 , 5F064DD26 , 5F064DD32 , 5F064FF04 , 5F064FF26 , 5F064FF42

引用特許：

審査官引用 (1件)

統合した回路を有するマルチチップ半導体構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-031735 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

前のページに戻る