プラズマCVD法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300434
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131241
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】被成膜物品が立体的な外形を有するものである場合にも、内部に空洞を有する中空状被成膜物品であれば、その外表面に安定して膜形成できるプラズマCVD法及び装置を提供する。【解決手段】真空容器1内で成膜原料ガスに電力供給してこのガスをプラズマ化し、このプラズマの下で被成膜物品Sの表面に膜形成するプラズマCVD法及び装置であって、中空状の被成膜物品Sに対し、その内部に嵌まる内部電極61を物品設置電極として用いて内部電極61に物品Sを外嵌した状態で物品Sの外表面に膜形成するプラズマCVD法及びこの方法を実施するための装置。

請求項（抜粋）：

真空容器内で成膜原料ガスに電力を供給して該ガスをプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品の表面に膜形成するプラズマCVD法であって、中空状の被成膜物品に対し、その内部に嵌まる内部電極を物品設置電極として用いて該内部電極に該物品を外嵌した状態で該物品の外表面に膜形成することを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (4件)：

C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (8件)

堆積膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-206600 出願人：キヤノン株式会社
特開平1-279757
特開昭63-303074

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