特許

J-GLOBAL ID：200903092518251578

ショットキ形電界効果トランジスタ

発明者： 中塚 忠良 ,  井上 薫 ,  正戸 宏幸 ,  八木田 秀樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097204
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 GaAsMESFETのゲート・ソース間電圧に対するドレイン電流の非線形性を改善し、以て高周波増幅器としての優れた低歪特性を実現する。【構成】 伝導層としてのn-InGaAs層111をバリア層としての2つのn-AlGaAs層110,112で挟んだ構造を有する半導体基体の表面に、ショットキ・ゲート電極201、ソース・オーミック電極202及びドレイン・オーミック電極203を形成する。ある範囲のゲート・ソース間電圧Vgsに対して相互コンダクタンスgmが一定値を示す。

請求項（抜粋）：

半導体基体の表面と各々オーム性接触をなすようにソース電極及びドレイン電極が形成され、かつ該両電極の間において前記半導体基体の表面とショットキ接触をなすようにゲート電極が形成されたショットキ形電界効果トランジスタであって、前記半導体基体の表面は、n型不純物がドーピングされたInGaAsからなる伝導層を、各々n型不純物がドーピングされたAlGaAsからなる2つのバリア層で挟んだ構造を有することを特徴とするショットキ形電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-131565
  
• 特開昭62-015862