特許

J-GLOBAL ID：200903092519469275

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 吉田 伊知朗
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142358
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007217
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 GaAsまたはGaInAsを活性層とする高出力半導体レーザを提供すること。【構成】 GaAs基板1を用い、活性層4が量子井戸層43をバリヤ層41、45で挟んだ量子井戸構造となっており、量子井戸層43がGaAsまたはGaInAsからなる半導体レーザにおいて、バリヤ層41、45はAlGaInP(Al組成が零の場合を含む)からなり、このうち電流が注入されるストライプ部はオーダリングされており、光の出射端面部はディスオーダリングされている。

請求項（抜粋）：

GaAsを基板とし、活性層が量子井戸層をバリヤ層で挟んだ量子井戸構造となっており、前記量子井戸層がGaAsまたはGaInAsからなる半導体レーザにおいて、前記バリヤ層はAlGaInP(Al組成が零の場合を含む)からなり、このうち電流が注入されるストライプ部はオーダリングされており、光の出射端面部はディスオーダリングされていることを特徴とする半導体レーザ。