液相フッ素化による含フッ素化合物の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001765
公開番号（公開出願番号）：WO2000-056694
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2000年09月28日
要約：

【要約】安価な原料から含フッ素化合物を製造する方法を提供する。すなわち、RACH2OH等の化合物IとXCORB等の化合物IIを反応させてRACH2OCORB等の化合物IIIとし、液相中でフッ素化してRAFCF2OCORBF等の化合物IVとし、RAFCOF等の化合物Vおよび/またはRBFCOF等の化合物VIに変換する。RAはアルキル基等、RBはペルハロゲノアルキル基等、RAFとRBFはフッ素化されたRAとRB、Xはハロゲン。

請求項（抜粋）：

下記化合物(I)と下記化合物(II)を反応させて下記化合物(III)とし、該化合物(III)を液相中でフッ素化して下記化合物(IV)とし、つぎに該化合物(IV)を下記化合物(V)および/または下記化合物(VI)に変換することを特徴とする含フッ素化合物の製造方法。 RA-E1(I) RB-E2(II) RA-E-RB(III) RAF-EF-RBF(IV) RAF-EF1(V) RBF-EF2(VI) ただし、 RA、RB:それぞれ独立に、1価飽和炭化水素基、ハロゲノ1価飽和炭化水素基、ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素基、ハロゲノ(ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素)基、または液相中でのフッ素化反応によってRHFとなりうる1価有機基(RH)。 RHF:1価飽和炭化水素基、部分ハロゲノ1価飽和炭化水素基、ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素基、および部分ハロゲノ(ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素)基から選ばれる基の、基中に存在する水素原子の1個以上がフッ素原子に置換された基。 RAF、RBF:RAFはRAに対応する基、RBFはRBに対応する基である。RAおよびRBが、それぞれ1価飽和炭化水素基、ハロゲノ1価飽和炭化水素基、ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素基、またはハロゲノ(ヘテロ原子含有1価飽和炭化水素)基である場合のRAFおよびRBFは、それぞれ、RAおよびRBと同一の基、あるいは、RAおよびRBの基中に存在する水素原子の1個以上がフッ素原子に置換された基。RAおよびRBが、1価有機基(RH)である場合のRAFおよびRBFは、それぞれ、RHF。 E1、E2:それぞれ相互に反応して2価連結基(E)を形成しうる反応性基。 E:E1とE2とが反応して形成された2価連結基。 EF:Eと同一の基またはEがフッ素化された基であり、RAF、RBF、およびEFの少なくとも1個以上は、それぞれ、対応するRA、RB、およびEと同一の基ではない。 EF1、EF2:それぞれ独立に、EFが切断されて形成された基。

IPC (9件)：

C07C 51/58 , C07C 53/50 , C07C 59/135 , C07C 69/63 , C07C 69/708 , C07D317/16 , C07D317/42 , C07C 67/307 , C08F 16/24

FI (9件)：

C07C 51/58 , C07C 53/50 , C07C 59/135 , C07C 69/63 , C07C 69/708 A , C07D317/16 , C07D317/42 , C07C 67/307 , C08F 16/24

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