特許
J-GLOBAL ID：200903092523790665
シリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
正林 真之
, 藤田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083000
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258555
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】微細なボイドとパーティクルを識別可能なシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法及び装置を提供する。【解決手段】シリコンウェーハに赤外線を照射し、透過赤外線を撮像して得られる画像から結晶欠陥を検査する。低倍率検査ステップS1は、低倍率の対物レンズ14aを用いて、シリコンウェーハの一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する。位置確認ステップS3は、低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する。高倍率検査ステップS4では、高倍率の対物レンズ14bを用いて、記憶された結晶欠陥の位置を視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、視野領域の高倍率検査画像を取得する。判定ステップS5は、高倍率検査画像に基づいて結晶欠陥の形状を求め、円形か円形以外の不定形状かで結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハに赤外線を照射し、このシリコンウェーハを透過した赤外線を撮像して得られる画像から当該シリコンウェーハの結晶欠陥を検査するシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法であって、
低倍率の対物レンズを用いて、前記シリコンウェーハにおける一定の視野領域を有する低倍率検査画像を取得する低倍率検査ステップと、
前記低倍率検査画像を画像処理して結晶欠陥の位置を確認及び記憶する位置確認ステップと、
高倍率の対物レンズを用いて、前記記憶された結晶欠陥の位置を一定の視野領域の中に位置させて対物距離を変えて、当該視野領域の高倍率検査画像を取得する高倍率検査ステップと、
前記高倍率検査画像に基づいて前記結晶欠陥の形状を求め、前記結晶欠陥の形状情報から、円形か円形以外の不定形状かで当該結晶欠陥がボイドかパーティクルかを判定する判定ステップと、を含むシリコンウェーハの結晶欠陥検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 N
, G01N21/956 A
2G051AA51
, 2G051AB01
, 2G051AB02
, 2G051BA06
, 2G051CA03
, 2G051CB02
, 2G051EA11
, 2G051EB01
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CB19
, 4M106CB30
, 4M106DH13
, 4M106DH31
, 4M106DH38
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
, 4M106DJ28
