特許

J-GLOBAL ID：200903092524135571

半導体スイッチ及びスイッチ回路

発明者： 水谷 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228311
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058767
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 60GHz以上の高い周波数においても低い挿入損失を維持しながら、80dB以上という高いアイソレーションを得ることのできる小型なスイッチを提供すること。【解決手段】 本発明による半導体スイッチは、ゲート電極6、ソース電極4及びドレイン電極5が半導体基板上に形成されると共に活性層3に囲まれてなるFETを利用したものであって、ソース電極4及びドレイン電極5が、双方とも接地されると共に紙面左右方向において互いに平行に配されており、且つ、ゲート電極6が、ソース電極4及びドレイン電極5の間に形成されてなる構造を備え、ゲート電極6の紙面左右方向における両端には、夫々、第一の入出力端子1及び第二の入出力端子2が接続されているものである。

請求項（抜粋）：

ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極が半導体基板上に形成されると共に活性層に囲まれてなる電界効果トランジスタを利用した半導体スイッチであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、双方とも接地されると共に所定方向において互いに平行に配されており、且つ、前記ゲート電極が、前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されてなる構造を備え、前記ゲート電極の前記所定方向における両端には、夫々、当該半導体スイッチの第一、第二の入出力端子が接続されることを特徴とする半導体スイッチ。

IPC (6件)：

H01L 27/095 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01P 1/15 ,  H01P 3/02 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/80 E ,  H01P 1/15 ,  H01P 3/02 ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 C ,  H01L 29/78 301 X

Fターム (21件)：

4M104AA04 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  5F040DB01 ,  5F040DB06 ,  5F040DB08 ,  5F040DB09 ,  5F040DB10 ,  5F040DC03 ,  5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GA18 ,  5F102GB01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5J012BA02