特許

J-GLOBAL ID：200903092534389571

水溶性なスルホン酸アルカリ金属塩置換ビナフチルホスフイン遷移金属錯体及びこれを用いた不斉水素化法

発明者： 石崎 健郎 ,  雲林 秀徳
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 井坂 實夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-170780
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：

【要約】【目的】 不斉合成反応の触媒として高い性能を有し、生成物と分離しやすく、再使用もできる新規なホスフィン錯体を開発すること、及び不斉水素化反応を効率よく遂行する方法を開発することが本発明の目的である。【構成】 本発明の新規なホスフィン錯体は、明細書中の一般式(1)で示される化学構造を持ち、特に新規な点は、錯体中のビナフチルホスフィンがスルホン酸アルカリ金属塩基で置換されている点である。また、本発明の不斉水素化方法は、前記の新規なホスフィン錯体を触媒として使用する点に特徴を有する。本発明の新規なホスフィン錯体を触媒として使用すれば、不斉水素化反応の後に、反応生成物と触媒を分離することが容易であり、また、本発明の新規なホスフィン錯体は、不斉水素化反応の触媒として反復して使用することができる。

請求項（抜粋）：

光学活性ホスフィン錯体が一般式(1) [M(X)n (Q)(SO3 A-BINAP)]Y (1)(ただし、式中のMは遷移金属原子を示し、SO3 A-BINAPは式(2)【化1】で表わされる第三級ホスフィンを示し、Aはアルカリ金属原子を示し、Xは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示し、n=1のときはMはルテニウムを示し、Qはベンゼンまたはp-シメンを示し、Yは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示し、n=0でMがイリジウムまたはロジウムのときはQは1,5-シクロオクタジエンまたはノルボルナジエンを示し、YはClO4 、PF6 またはBF4 を示し、n=0でMがパラジウムのときはQはπ-アリルを示し、YはClO4 、PF6 またはBF4 を示す。)で表わされるスルホン酸アルカリ金属塩置換ビナフチルホスフィン遷移金属錯体。

IPC (8件)：

C07F 15/00 ,  C07C211/27 ,  C07C213/00 ,  C07C215/20 ,  C07C215/28 ,  C07F 9/50 ,  B01J 31/24 ,  C07B 61/00 300