特許
J-GLOBAL ID:200903092534592849

誘電体膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-007640
公開番号(公開出願番号):特開平9-199275
出願日: 1996年01月19日
公開日(公表日): 1997年07月31日
要約:
【要約】【課題】 誘電体膜の剥離を防止する。【解決手段】 インライン式スパッタリング装置を用いて、電極が形成された基板21上にペロブスカイト構造の誘電体膜をスパッタリング成膜する場合に、基板固定部2と装置接触部5との間を電気的絶縁部3により絶縁したトレー20を用い、スパッタリング装置におけるアノード電極(接地)に対し基板固定部2を絶縁した状態で、誘電体膜の成膜を行う。
請求項(抜粋):
電極(12)が形成された基板(21)を基板固定用治具(20)の基板固定部(2)に成膜マスク(23)を取り付けて固定し、基板固定用治具をスパッタリング装置内で搬送させて、ペロブスカイト構造の誘電体膜(13)を前記電極上にスパッタリング成膜するようにした誘電体膜の形成方法であって、前記スパッタリング装置のアノード電極に対して前記基板固定部を絶縁した状態で前記スパッタリング成膜を行うことを特徴とする誘電体膜の形成方法。

前のページに戻る