特許
J-GLOBAL ID：200903092535271493
薄膜単結晶半導体太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308533
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150211
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 低コスト化、フレキシブル化、小型化、太陽電池を搭載する機器のデザインの柔軟性の向上および大面積化が可能なモノリシックの薄膜単結晶半導体太陽電池およびその製造方法を提供する。また、シースルーでしかも高変換効率の薄膜単結晶半導体太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板1上に多孔質シリコン層を介してp+ 型単結晶シリコン層3およびp型単結晶シリコン層4を形成した後、これらの層を選択的にエッチング除去して複数の太陽電池層を互いに分離して形成する。次に、金属電極などの形成を経て薄膜単結晶シリコン太陽電池11、12を形成し、さらにそれらの表面に透明基板18を接着した後、超音波照射などにより単結晶シリコン基板1から薄膜単結晶シリコン太陽電池11、12を剥離する。この後、薄膜単結晶シリコン太陽電池11、12の裏面に別の基板21を接着し、薄膜単結晶シリコン太陽電池を完成させる。薄膜単結晶シリコン太陽電池をシースルー化する場合は、薄膜単結晶シリコン太陽電池に複数の微小孔を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板上に互いに分離して設けられた複数の薄膜単結晶半導体太陽電池とを有することを特徴とする薄膜単結晶半導体太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
