特許
J-GLOBAL ID：200903092537196863
シリコンウェファー表面の微細機械加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096170
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015019
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェファー表面に集積回路を微細機械加工する方法を提供すること。【構成】 最少の処理工程数を含むシリコン基板の表面(10、14)を微細機械加工する方法。この方法はバルク基板(10、14)の真下のN+埋封層(12)を塩素プラズマーエッチングによって横方向エッチングすることができる優先エッチングプロセスを含む。このような方法は、バルクシリコン基板中に形成されるキャビティ(22)上に支持される、小さい微細機械加工要素(18)(例えば、ブリッジ、片持ばり、膜、懸垂体又は容量性要素)を含む感知デバイスの形成に特に適する。この方法はまた、このような感知デバイスをそれらの制御集積回路と同じ基板上に形成することを可能にする。この方法は微細機械加工要素(18)の寸法特徴を最適化する又は微細機械加工要素(18)を被包することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板中に半導体デバイスを形成するようにシリコン基板(10)の表面を微細機械加工する方法において、次の工程:基板(10)の表面にN+領域(12)を形成する工程と;エピタキシャルシリコン層(14)の表面の真下にN+埋封層(12)を形成するように基板(10)の表面上にエピタキシャルシリコン層(14)を成長させる工程と;エピタキシャルシリコン層(14)を通して、N+埋封層(12)中に少なくとも1つの溝をエッチングする工程と;N+埋封層(12)を優先的にエッチングするように、所定圧力の塩素含有ガスと、所定温度の基板(10)とによって実施する、エピタキシャルシリコン層(14)の表面の真下にキャビティ(22)を横方向にエッチングする横方向エッチング工程とを含み、それによってキャビティ(22)とエピタキシャルシリコン層(14)の表面との間に、半導体デバイスの要素である微細機械加工要素(18)が形成されることを特徴とする前記方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, H01L 21/3065
