特許
J-GLOBAL ID:200903092545420446

半導体基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-212227
公開番号(公開出願番号):特開平5-055137
出願日: 1991年08月23日
公開日(公表日): 1993年03月05日
要約:
【要約】【目的】 半導体基板上に薬液を均一に塗布し、余剰薬液が再付着するのを防止する。【構成】 薬液を半導体基板3へ向けて吐出するノズル1と、半導体基板3を保持する回転可能な保持手段2と、保持手段2により保持された半導体基板3の外周を囲むように内部が中空の壁が設けられ、半導体基板3付近の気流(矢印A)を壁に開孔された気流誘導口13より内部に誘導した後、外部へ排気口12より排気する中空カップ4とを備え、この中空カップ4は、半導体基板3の直径よりも外径が大きく、基板の直径よりも内径が小さい円環状の気流誘導板6を、気流誘導口13付近に、半導体基板3よりも下方に非接触状態で有している。
請求項(抜粋):
半導体基板を回転させてその表面に液を吐出し処理する半導体基板処理装置において、前記液を前記半導体基板へ向けて吐出するノズルと、前記半導体基板を保持し回転させる保持手段と、前記保持手段により保持された前記半導体基板の外周を囲むように内部が中空の壁が設けられ、前記半導体基板付近の気流を前記壁に開孔された気流誘導口より内部に誘導した後、外部へ排気する中空カップとを備え、前記中空カップは、前記半導体基板の直径よりも外径が大きく、前記直径よりも内径が小さい円環状の気流誘導板を、前記気流誘導口付近に、前記半導体基板よりも下方に非接触状態で有することを特徴とする半導体基板処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/304 341
FI (2件):
H01L 21/30 361 L ,  H01L 21/30 361 C

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