特許
J-GLOBAL ID：200903092546988373

記憶素子及び半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-108004
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318099
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】初期不良を低減した記憶素子および当該記憶素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。また、製造時以外にデータの追記が可能であり、書き換えによる偽造等を防止可能な不揮発性の記憶素子および当該記憶素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、第1の導電層と第2の導電層に挟持され、液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、を有し、液晶性を示す化合物を含む層は第1の導電層に接して形成されており、少なくとも第1の相から第2の相へ相転移する層である記憶素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電層と、 第2の導電層と、 前記第1の導電層と前記第2の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、 前記第1の導電層と前記第2の導電層とに挟持され、前記液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、 を有し、 前記液晶性を示す化合物を含む層は前記第1の導電層に接して形成されており、少なくとも第1の相から第2の相へ相転移する層であることを特徴とする記憶素子。
IPC (8件)：
H01L 27/10 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (8件)：
H01L27/10 431 ,  H01L27/10 449 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/28 100B ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/04 L
Fターム (68件)：
5F038AZ04 ,  5F038CD18 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083CR14 ,  5F083CR15 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA58 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F110AA26 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (2件)

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