特許
J-GLOBAL ID：200903092548323603
半導体レーザアレイ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082980
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251820
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 レーザの電極とプリント基板上のストリップラインを接続するリード線の自己インダクタンスおよび信号間の相互インダクタンスを低減して、性能を向上させるようにする。【構成】 半導体基板1とその基板上に積層された半導体積層体を有し、かつ上面側にp形電極4とn形電極10が並列にレーザ共振器方向に並んで形成されたレーザアレイ5を構成する。そして、このレーザアレイ5の一方の光出射面側に多数のストリップライン7を有するプリント基板8を配し、各々のレーザ電極4,10とストリップライン7を対をなして結線する。これにより、レーザ電極とプリント基板8上のストリップライン7を接続するリード線において、p形あるいはn形電極に接続されるリード線の一方がアースとなるため、信号線となるリード線がアース線に挟まれた構造となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板とその半導体基板上に積層された半導体積層体を有し、n形半導体とp形半導体よりなるp-n接合を有する半導体レーザが並列に集積されたレーザアレイと、多数のストリップラインを有するプリント基板からなり、前記レーザの共振器方向に沿ってp形電極とn電極が交互に半導体上面に形成され、かつこのレーザアレイのp形およびn形電極が前記プリント基板上のストリップラインと,リード線あるいはワイヤ等により一対一の対をなして交差することなく結線されていることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
IPC (2件)：
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