特許

J-GLOBAL ID：200903092549469881

発光素子およびその製造方法

発明者： 横川 俊哉 ,  久保 実
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243613
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 発光素子およびその製造方法に関するもので、p型正孔注入層を得て、高い発光効率のp-n接合型青色LEDを提供する。【構成】 サファイア基板11上に形成されたn型GaN結晶13上に、p伝導型を有したGaAs142とGaN141を交互に積層した超格子構造を形成し、超格子構造14上に正電極、GaN結晶13に負電極を形成した構成の発光素子である。

請求項（抜粋）：

n伝導型を有したGaN結晶上に、p伝導型を有したGaAsまたはp伝導型を有したGaPとGaNを交互に積層した構造を有し、前記GaAsまたはGaPとGaNを交互に積層した構造上に正電極、前記GaN結晶に負電極を備えたことを特徴とする発光素子。