特許

J-GLOBAL ID：200903092554563420

半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法

発明者： 山本 雅子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174015
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030082
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 PIN-PDなどの半導体受光素子の基板裏面にマイクロレンズを形成し有効受光径の拡大(高速応答特性の実現)を図る際、従来のウエットエッチングによる方法では設計・制御性および再現性に問題があったが、設計指針を明らかにすることで制御性・再現性の向上を図る。【構成】 マイクロレンズ形成方法において、2段階ウエットエッチングの第1エッチングのメサ形状で決まるメサ曲率半径R<SB>M </SB>を所定のレンズ曲率半径Rに対し<U>0.29R-8.57<R<SB>M </SB><0.29R+8.57</U>を満たすよう設計し、第2エッチングでレンズ曲率半径より得られる円に対し外接させる。

請求項（抜粋）：

2段階のウエット・エッチングを施すことによってモノリシックレンズを半導体基板に作り付ける方法において、半導体の円形領域を残してこの周縁部をエッチングすることにより円形状台地を形成する第1の工程と、前記第1の工程によって形成された円形状台地を含む半導体基板の領域を全体にわたってエッチングすることによって、前記円形状台地の中心領域を所定の曲率を有するレンズとする第2の工程とを含み、前記第1の工程によって得られる円形状台地頂上の直径をL<SB>D </SB>、円形状台地の高さ即ちエッチング深さをL<SB>H </SB>で近似し、直径がL<SB>D </SB>で高さがL<SB>H </SB>の円柱を仮定し、この円柱の頂上面中心と底面を形成する直径L<SB>D </SB>の円との両方に接する球の半径をR<SB>M </SB>としたとき、前記第2の工程のエッチングによって形成する所定のレンズの曲率半径をRとすると、前記R<SB>M </SB>として、0.31R-4.55<R<SB>M </SB><0.31R+13.81の関係を満たすように前記第1の工程のエッチングを行うことを特徴とする半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-052489
  
• 特開昭56-001583