特許
J-GLOBAL ID:200903092557394556

露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-094316
公開番号(公開出願番号):特開2000-286190
出願日: 1999年03月31日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 表面反応型の感光層を有した基板を用いる場合にも、現像を行わずに露光品質のチェックを行うことのできる露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 露光装置10に、表面反応型のシリル化レジストを感光層としたウエハWに形成される潜像を計測するため、原子間力顕微鏡AFMを備える構成とした。そして、レチクルRのパターンをウエハW上に本露光するに先立って、レチクルRのパターンをEUV光ELで照明することによってシリル化レジストに形成された潜像を、原子間力顕微鏡AFMで計測する構成とした。
請求項(抜粋):
マスクに形成されたパターンを露光光で照明し、感光層が塗布された基板上に転写する露光装置であって、前記感光層が表面反応型であり、かつ、前記露光光の照明によって前記感光層に形成される潜像を計測する計測手段が備えられていることを特徴とする露光装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503
FI (2件):
H01L 21/30 531 A ,  G03F 7/20 503
Fターム (28件):
2H097CA15 ,  2H097GB01 ,  2H097KA13 ,  2H097KA38 ,  2H097LA10 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046CC03 ,  5F046CC05 ,  5F046CC06 ,  5F046CC16 ,  5F046DA05 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05 ,  5F046EA02 ,  5F046EA14 ,  5F046EB03 ,  5F046FA17 ,  5F046FC06 ,  5F046GA03 ,  5F046GA06 ,  5F046GA11 ,  5F046GA12 ,  5F046GA14 ,  5F046GA18 ,  5F046GB01 ,  5F046GC03 ,  5F046GD10

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