特許

J-GLOBAL ID：200903092567858232

圧電体素子の製造方法およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法

発明者： 角 浩二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099010
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298062
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 製造過程で拡散するMgを補う圧電体素子の製造方法の提供。【解決手段】 下部電極(32)および上部電極(42)に挟持された圧電体薄膜(41)を備える圧電体素子(40)の製造方法である。圧電体薄膜(41)を結晶化させる過程で拡散しやすい元素(Mg)が存在する場合に、その拡散しやすい元素(Mg)の組成比を結晶後の圧電性薄膜における組成比より高めに設定する。熱処理などで元素が拡散しても化学量論比通りの圧電体素子の結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

下部電極および上部電極に挟持された圧電体薄膜を備える圧電体素子の製造方法において、前記圧電体薄膜を結晶化させる過程で拡散しやすい元素が存在する場合に、その拡散しやすい元素の組成比を結晶後の圧電性薄膜における組成比より高めに設定した圧電性セラミックス原料を使用して前記圧電体薄膜を形成することを特徴とする圧電体素子の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 41/24 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  C04B 35/495 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/187

FI (7件)：

H01L 41/22 A ,  H01L 27/10 451 ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  C04B 35/00 J ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/18 101 D