特許

J-GLOBAL ID：200903092570014908

液晶表示装置とこれに用いられる薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 井上 博元
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009269
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209458
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 TFTアレイ工程のチャネル保護膜の上底ならびに下底端部は、鋭角な状態であり、下底に集積された粉塵やチャネル保護膜側壁部に形成されるソース・ドレイン電極配線の被覆状態によっては、総合的な応力等が原因となって、断線もしくは剥離してしまう恐れがあった。【解決手段】 透明絶縁性基板1上にゲート電極配線2を形成し、この上にゲート絶縁膜3を形成し、さらに半導体膜4及びチャネル保護膜5を堆積して後、チャネル保護膜5を、異方性エッチングにより、所定の膜厚を残して途中まで除去した後、等方性エッチングによりチャネル保護膜側壁下部に傾斜を形成して除去するもので、その後、半導体膜4の上面にコンタクト層6を形成し、さらにコンタクト層6上にソース・ドレイン電極配線8を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に第一の電極配線を形成する第一の工程、この第一の電極配線上を含む絶縁性基板上に絶縁膜を形成する第二の工程、この絶縁膜上に半導体膜を形成する第三の工程、この半導体膜上にチャネル保護膜を堆積する第四の工程、このチャネル保護膜を、フォトレジストを用いた異方性エッチングにより、所定の膜厚を残して途中まで除去する第五の工程、上記チャネル保護膜を、等方性エッチングによりチャネル保護膜側壁下部に傾斜を形成して除去する第六の工程、上記半導体膜にコンタクト層を形成する第七の工程、このコンタクト層上に第二の電極配線及び第三の電極配線を形成する第八の工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 617 U ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 L ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 A