特許

J-GLOBAL ID：200903092577422963

半導体結晶積層体及びそれを用いた半導体装置

発明者： 工藤 真 ,  三島 友義 ,  樋口 克彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042459
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237889
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 Sbを含むN型キャリア供給層とInAsを含む2次元電子ガス形成層が積層された半導体結晶積層体及びそれを用いた半導体装置において、N型キャリア供給層のN型不純物としてSiおよびSnの使用を可能にする。【解決手段】 N型キャリア供給層としてSiまたはSnをN型不純物として含むInAlAsSb層を用い、2次元電子ガス形成層としてアンドープInAs層またはアンドープInAsSb層を用いる。

請求項（抜粋）：

N型キャリア供給層と2次元電子ガス形成層が積層され、上記N型キャリア供給層から上記2次元電子ガス形成層の上記N型キャリア供給層側表面に電子が供給されて2次元電子ガスが形成される半導体結晶積層体において、上記N型キャリア供給層はSiまたはSnがドープされたN型InAlAsSb層であり、上記2次元電子ガス形成層はアンドープInAs層またはアンドープInAsSb層を有していることを特徴とする半導体結晶積層体。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/205