特許
J-GLOBAL ID：200903092582804335
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295037
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217373
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】内蔵の降圧回路からの内部電源電圧で動作する低消費電力の基板バイアス電圧発生回路を備え、しかも基板バイアス電圧発生回路の内蔵に伴い易い外部電源電圧投入時の内部電源電圧の立上り遅れによる消費電力の増大および誤動作を防止した高速LSIを提供する。【構成】内部電源電圧VB を発生する降圧回路3と、基板バイアス電圧を発生する基板バイアス電圧発生回路と、外部電源電圧VA の投入時の電圧上昇を監視するパワーオン回路11とを備える。基板バイアス電圧発生回路は、スタンバイ用基板バイアス電圧発生回路20と、外部電源電圧VA の投入時およびLSIのアクティブモード時に動作するアクティブ用基板バイアス電圧発生回路40とを有する。外部電源電圧投入時、アクティブ用基板バイアス電圧発生回路40は上記監視結果に応じてパワーオン回路が発生する制御信号S2 により、動作電源電圧を外部電源電圧VA から内部電源電圧VB へこの順に選択的に切り替え、基板電流吸収能力を二段階に切り替える。
請求項（抜粋）：
接地線を含む内部回路を表面に形成した半導体基板と前記接地線との間に互いに並列に接続され前記半導体基板の基板電流を吸収して前記半導体基板と前記接地線との間に逆バイアス電圧を与える第1および第2のバイアス電圧発生手段を含む基板バイアス電圧発生回路と、外部から外部電源電圧の供給を受け内部電源電圧として前記内部回路および前記基板バイアス電圧発生回路に供給する電圧降下回路と、前記外部電源電圧の投入後の値の変動に応答して前記基板バイアス電圧発生回路の基板電流吸収能力を制御する制御信号を生ずる制御回路とを備える半導体集積回路において、前記第1のバイアス電圧発生手段が、前記制御信号により切り替え可能な大なる基板電流吸収能力と小なる基板電流吸収能力とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 354 F
, H01L 27/06 331
