特許
J-GLOBAL ID:200903092593704588
フェライトおよびインダクタンス素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
窪田 法明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-007417
公開番号(公開出願番号):特開2004-217477
出願日: 2003年01月15日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】鉛を含まず、初透磁率が高く、安価で、2t/cm2(196MPa)の圧力で加圧したときのインダクタンスの抗応力特性に優れ、また、狭交差および高信頼性を備えたフェライト及びこのフェライトをコアとして使用したインダクタンス素子を提供すること。【解決手段】本発明に係るフェライトは、Fe,Ni,Cu,Mg及びZnの酸化物を主成分とし、Co、Bi及びSiの酸化物を副成分として含み、含まれているBi及びSiの酸化物の重量比がBi2O3/SiO2として1.29〜1.82、Bi及びSiの酸化物の合計重量がBi2O3+SiO2として4.99〜6.13重量%とし、本発明に係るインダクタンス素子はこのフェライトをコア材とした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
Fe,Ni,Cu,Mg及びZnの酸化物を主成分とし、Co、Bi及びSiの酸化物を副成分として含み、含まれているBi及びSiの酸化物の重量比がBi2O3/SiO2として1.29〜1.82、Bi及びSiの酸化物の合計重量がBi2O3+SiO2として4.99〜6.13重量%であることを特徴とするフェライト。
IPC (2件):
FI (3件):
C04B35/30 D
, C04B35/30 C
, H01F1/34 A
Fターム (10件):
4G018AA07
, 4G018AA22
, 4G018AA23
, 4G018AA24
, 4G018AA25
, 4G018AA31
, 4G018AA37
, 5E041AB01
, 5E041CA01
, 5E041NN02
引用特許:
出願人引用 (1件)
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フェライト材料
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-201586
出願人:ティーディーケイ株式会社
審査官引用 (8件)
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