特許

J-GLOBAL ID：200903092594531873

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 塚本 雄二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-260777
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082490
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 電子ビーム励起方式のプラズマ処理装置において、12インチ径などの大きい被処理体にプラズマ処理を施す際にも、処理の均一性を良好なものとする。【解決手段】 プラズマ発生室20に発生した放電プラズマから引き出した電子ビームを加速室30で加速して反応室40に入射させる装置において、加速電極31に、通過孔31aを中心とする同心円状に拡散孔31b〜31gを形成する。磁界によって電子ビームを拡散させるために、拡散孔31b〜31gを挟んで内側コイルC4と外側コイルC5を配置する。拡散磁場によって拡散された電子ビームは、拡散孔31b〜31gをも通過して、拡散して反応室40内に入射して、広い範囲で均一なプラズマを生成する。

請求項（抜粋）：

放電プラズマから電子ビームを引き出して加速し、加速された電子ビームを反応室に入射して反応室内の処理ガスをプラズマ化し、当該プラズマ雰囲気の下で反応室内の被処理体に対して処理を施す方法において、前記電子ビームを反応室以外の領域で分割した後に、反応室内に入射させることを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/24 ,  C23C 14/30 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (8件)：

H05H 1/24 ,  C23C 14/30 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 C ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/302 B