特許
J-GLOBAL ID：200903092600308170
化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060596
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256532
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、リソグラフィー限界に影響されずにチャネル層の幅を狭くしてパラレルコンダクションをなくし低消費電力化する。【解決手段】 少なくとも第1の一導電型半導体層2、ノン・ドープ半導体層3、及び、第2の一導電型半導体層4からなる積層構造体に、第2の一導電型半導体層4上に設けたオーミック電極5及びダミー電極6に自己整合し、且つ、その側壁が結晶方位の同じ結晶面から構成される2つのストライプ状の溝7を設け、少なくとも溝7の表面に設けたゲートバリア層9を介してゲート電極10を設ける。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の一導電型半導体層、ノン・ドープ半導体層、及び、第2の一導電型半導体層からなる積層構造体に、第2の一導電型半導体層上に設けたオーミック電極及びダミー電極に自己整合し、且つ、その側壁が結晶方位の同じ結晶面から構成される2つのストライプ状の溝を設け、前記ノン・ドープ半導体層の端部に二次元キャリアガスを発生させるために少なくとも前記溝の表面に設けたゲートバリア層を介してゲート電極を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
