特許
J-GLOBAL ID：200903092604031327
化合物半導体マイクロ波用モノリシックIC増幅回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140852
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】GaAsMMIC増幅回路において、製造上のピンチオフ電圧VPバラツキ変動による回路のアイドル電流変動を抑制し、高効率及び高出力を維持する。【構成】ゲートバイアス回路を構成するゲートバイアス分圧抵抗の接地側抵抗R2をイオン注入法で、一方ゲート電源側抵抗をFETの活性層加工時(リセスエッチング時)に形成し、接地側抵抗R2は常に固定、電源側抵抗R1はVP特性の製造上の変動に対応して変動する。【効果】回路のアイドル電流が補償されてほど一定である。
請求項（抜粋）：
ゲートに直流バイアス分圧抵抗からのバイアス電圧と入力端から高周波信号を入力しソースが接地しドレインが負荷抵抗を介してドレイン電源に接続する電界効果トランジスタを含む化合物半導体マイクロ波用モノクシックIC増幅回路において、前記直流バイアス分圧抵抗の接地側抵抗が前記電界効果トランジスタと同一化合物半導体基板内に形成されたイオン注入抵抗体であり、かつゲート電源側の抵抗が前記化合物半導体基板上のn層をリセス加工して形成される活性層リセス抵抗体であることを特徴とする化合物半導体マイクロ波用モノリシックIC増幅回路。
IPC (3件)：
H03F 3/60
, C23C 14/48
, H01L 27/04
