半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168131
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006555
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】誤動作や素子破壊が生じ難い高耐圧ドライバを実現する。【解決手段】高耐圧ICチップ10内の電位が異なる2つの領域(具体的には浮遊電位基準回路形成領域21を囲う高耐圧接合終端構造23及びGND基準回路形成領域22)を、さらにトレンチ構造7で囲う。該トレンチ構造7は、トレンチを形成した後に、その側壁に高濃度p+型領域を形成するか、若しくは、該トレンチ内部にp+型にドープしたポリシリコンまたは絶縁物を埋め込むことで形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上の第2導電型の半導体領域と、該第2導電型の半導体領域から第1導電型の半導体基板に達するトレンチ構造を有し、該トレンチ構造によって、前記半導体領域を第1と第2の領域に分離し、第1と第2の領域の少なくとも一方に、第1導電型ドレイン領域と第1導電型ソース領域を形成しての第1導電型MOSと、前記半導体領域に形成した第1導電型領域内に第2導電型ドレイン領域と第2導電型ソース領域を形成しての第2導電型MOSとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L27/08 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/092 , H01L29/06

FI (8件)：

H01L27/08 331A , H01L27/08 331G , H01L29/06 301D , H01L27/08 321A , H01L21/76 L , H01L21/76 J , H01L21/76 S , H01L27/04 H

Fターム (31件)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA47 , 5F032AA48 , 5F032AA63 , 5F032AB01 , 5F032AB05 , 5F032AC01 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F038AV06 , 5F038BH01 , 5F038BH18 , 5F038BH19 , 5F038CA02 , 5F038CA09 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F048AA03 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BG14 , 5F048BH01 , 5F048BH07

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭61-290753
特開昭63-002370
特開昭63-090164

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