特許

J-GLOBAL ID：200903092610733392

半導体レーザ素子

発明者： 伊地知 哲朗 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354608
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188510
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 4〜5μmと比較的にリッジ幅が広い場合にも基本横モード発振が得られる、GaAs基板上にInGaAs歪量子井戸構造を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 GaAs基板22上にInGaAs歪量子井戸からなる活性層25を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジメサの両側を発振波長を吸収する希土類元素のイオン31を含む絶縁物29で埋め込む。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にInGaAs歪量子井戸からなる活性層を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジメサの両側が発振波長を吸収する希土類元素のイオンを含む絶縁物で埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ素子。