特許

J-GLOBAL ID：200903092611388907

薄膜形成装置及び方法

発明者： 熊谷 晃 ,  石橋 啓次 ,  田中 雅彦
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (2件)： 鈴木 正次 ,  涌井 謙一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269581
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111505
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】従来トレードオフの関係とされていた成膜速度と膜特性の関係を改善し、さらに高品質なシリコン酸化膜が形成され、かつ膜特性を維持しながら成膜速度を向上させることができ、シリコン酸化膜の高速成膜も可能である生産性に優れた薄膜形成装置及び方法を提供する。【解決手段】導電性隔壁板には、さらに、材料ガスが導入される第一の内部空間から隔離され、かつ成膜処理空間と複数のガス拡散孔を介して通じている第二の内部空間を設け、また、導電性隔壁板に形成される貫通孔のプラズマ生成空間側の孔径が成膜処理空間側の孔径よりも小さく、導電性隔壁板には、さらに、材料ガスが導入される第一の内部空間から隔離され、かつ貫通孔と複数のガス拡散孔を介して通じている第二の内部空間を設けることによって課題を解決した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空容器の内部を二室に隔離する導電性隔壁板を前記真空容器内に設け、前記二室のうち、一方の室は高周波電極を配置したプラズマ生成空間として形成され、他方の室は基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜処理空間として形成され、前記導電性隔壁板には前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間を通じさせる複数の貫通孔が形成され、前記プラズマ生成空間には放電プラズマにより所望の活性種を生成するためのガスが導入され、前記導電性隔壁板の複数の前記貫通孔を通じて前記プラズマ生成空間内で生成された所望の前記活性種が前記成膜処理空間に供給され、さらに前記導電性隔壁板には前記プラズマ生成空間から隔離され、かつ前記成膜処理空間と複数の材料ガス拡散孔を介して通じている第一の内部空間を有し、この第一の内部空間には外部から材料ガスが導入され、複数の前記材料ガス拡散孔を通して前記成膜処理空間に供給され、前記成膜処理空間に供給された前記活性種と前記材料ガスとの反応を利用して前記基板に成膜が行われる薄膜形成装置において、 前記導電性隔壁板は、さらに、前記第一の内部空間から隔離され、かつ前記成膜処理空間と複数のガス拡散孔を介して通じている第二の内部空間を有し、当該第二の内部空間には外部から前記材料ガス以外のガスが導入されることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  C23C16/505 ,  H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/505 ,  H01L21/316 X

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030LA11 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02