特許

J-GLOBAL ID：200903092612386444

硼素ドープ珪素マイクロマシンド構造における曲率を減少させる方法

発明者： カブズ,クレオパトラ ,  ホーニング,ロバート・ディー ,  アードマン,フランシス・エム ,  グレン,マックス・シー
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-517420
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519335
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

低減された面外曲率を有する硼素ドープされた珪素(36)の層が開示される。この層は、頂部(38)及び底部(40)の表面付近に硼素の実質的に等しい濃度を有する。対向する濃度が実質的に等しいので、層(36)上の圧縮応力は実質的に釣り合っており、それにより、低減された面外曲率を有する層(36)がもたらされる。

請求項（抜粋）：

第一(40)および第二(38)対向表面を有する実質的に平面の硼素ドープ珪素層(36)を形成する方法であって、 前記硼素ドープ珪素層(36)を与え;そして 前記第一(40)および第二(38)対向表面で実質的に等しい硼素濃度を起こす、 ことを含む方法。

IPC (3件)：

B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  H01L29/84

FI (3件)：

B81C1/00 ,  H01L21/308 B ,  H01L29/84 Z

Fターム (13件)：

4M112AA02 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA07 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA10 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043FF01 ,  5F043FF10