特許
J-GLOBAL ID：200903092615025302
トンネル型磁気抵抗効果型素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217483
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 従来のトンネル型磁気抵抗効果型素子では、絶縁障壁を金属層から酸化して形成し、この際、前記絶縁障壁を薄く形成する必要性から、酸素の導入圧力や、時間等の制御が難しく、完全に金属層だけ酸化させることは難しかった。【解決手段】 絶縁障壁層10上に2つの強磁性層11,12を平面的に設置する。これにより先に絶縁障壁層10を形成することができるので、金属層を酸化して絶縁障壁層10を形成する際に、強磁性層11,12の酸化への影響を考慮する必要がなく、また前記絶縁障壁層10を厚く形成でき、ピンホール等の欠陥を抑制することができるから、特性の良いトンネル型磁気抵抗効果型素子を製造することが可能になる。
請求項（抜粋）：
絶縁障壁層と、この絶縁障壁層に直接的にあるいは間接的に設置され、前記絶縁障壁層の膜面方向に並べられた少なくとも2つ以上の強磁性層と、一対の電極層とを有し、前記強磁性層間には所定の間隔が開けられ、前記間隔は、一方の前記電極層から強磁性層に流れた電流が、前記絶縁障壁層を通って他の強磁性層へ至るトンネル効果を発揮し得る大きさであることを特徴とするトンネル型磁気抵抗効果型素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034BB02
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AB01
, 5E049AB09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049DB14
