特許
J-GLOBAL ID：200903092624222900
低温ドライエッチング方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020769
公開番号（公開出願番号）：特開平7-228985
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチング条件を規定することによって、基板上の酸化膜側面の諸特性のいずれについても全て満足するようにする。【構成】酸化膜付き基板である導波路試料10を予備室2から反応室1-1へ搬送し、WSi膜とフォトレジスト膜をエッチングで取り除きコアパターンを形成する。試料10を予備室2を経て反応室1-2内に搬送し、コア層の低温ドライエッチングをコアパターンに基づいて行う。このときの最適条件は、基板温度を-20°C以下とし、エッチングガスはCHF3 ガス流量にArガス流量を2倍以上重畳させ、総流量を60cc/min以上とする。反応室1-2内の真空度を2.66Pa以下に保つ。電極間に加える高周波電源6-2のパワは450W以上とする。エッチング終了後、再度反応室1-1に移送しコアパターン上のWSi膜を取り除き、最後に試料10を予備室2から大気中に取り出す。
請求項（抜粋）：
予備室に挿入した被エッチング材を気密バルブを介して反応室に搬送し、該反応室内で上記基板を0°C以下の低温に保って上記被エッチング材の表面をフッ素系ガスを用いて低温ドライエッチングする際に、上記フッ素系ガスの流量に不活性ガスの流量を2倍以上重畳させて上記反応室内に流し、かつ上記反応室内の真空度を2.66Pa以下に保ってエッチングするようにしたことを特徴とする低温ドライエッチング方法。
IPC (2件)：
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