特許
J-GLOBAL ID：200903092624996272
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107805
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318590
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】幅の広い溝に充填した金属膜の表面を化学機械研磨法で研磨し埋込配線を形成する際の過剰研削を防ぎ断線を防止する。【構成】BPSG膜をパターニングして配線形成用の溝5やボンディングパッド形成用の開口部4を形成する際にその内側にパターニングにより残して配列した柱状絶縁膜6を設けることにより溝5や開口部4に充填したAlSiCu膜7の化学機械研磨による過剰研削を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングして内部に柱状又はスリット状にパターニングされた前記第2の絶縁膜を配列して残した格子状の配線形成用溝を形成する工程と、前記溝を含む表面に金属膜を堆積して前記溝内を充填する工程と、前記金属膜および第2の絶縁膜の上面を化学機械研磨法により研磨して前記溝内に前記金属膜を埋込んで上面を平坦化し埋込配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
, H01L 21/203
