特許
J-GLOBAL ID：200903092639089425
応力検出半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
大岩 増雄
, 大岩 増雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-040125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-157641
出願日： 1991年03月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 応力検出部のひずみゲージ抵抗のブリッジの配線部の形成が、このためのみに要していた従来の不純物拡散層の形成工程が削減され、装置が安価になる。【構成】 検出出力を増幅するトランジスタ部をP形半導体基板上に形成し、このP形基板の薄肉部上に、複数のひずみゲージ抵抗と、これらの抵抗をブリッジに接続する配線部を形成し、応力検出部を構成しており、この配線部には、絶縁するためのN+拡散による埋込み層と、配線部をなす高濃度のP+分離層とを用い、これら埋込み層及びP+分離層は、トランジスタのN+埋込み層及び高濃度のP+分離層の形成工程とそれぞれ同工程により形成したものである。
請求項（抜粋）：
P形半導体基板上に、上層と電気的に分離するためのN+埋込み層と、N形エピタキシャル層と、このエピタキシャル層を個々に分離するための高濃度のP+分離層と、P形拡散層と、N形拡散層と、引出し配線とが形成されて構成され、検出出力を増幅するためのトランジスタ部、上記P形半導体基板に形成された薄肉部の上部に、N+埋込み層と、N形エピタキシャル層と、P形拡散層による複数のひずみゲージ抵抗と、高濃度のP+分離層からなり各ひずみゲージ抵抗をブリッジに接続する配線部と、引出し配線とが形成されて構成され、応力に応じて出力する応力検出部を備え、検出部の各形成要素は、上記トランジスタ部の各形成要素と同材質分はそれぞれ同一製造工程により形成されるようにしたことを特徴とする応力検出半導体装置。
IPC (4件)：
G01L 1/00
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 29/84
