特許
J-GLOBAL ID：200903092641676214
薄膜形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-234338
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130651
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 基板の段差部や角部でも均一な膜厚の薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 基板の表面に塗布膜を形成する工程と、基板との界面付近の塗布膜領域または基板との界面付近以外の塗布膜領域のいずれか一方を改質させる工程と、所定の溶媒を用いて界面付近以外の塗布膜領域を除去することにより薄膜を形成する工程とを備える。【効果】 均一な膜厚のレジスト膜または反射防止膜を形成することができるので、エッチング等によるパターン形成を行う際にパターン寸法の精度を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に塗布膜を形成する工程と、前記基板との界面付近の塗布膜領域または前記基板との界面付近以外の塗布膜領域のいずれか一方を改質させる工程と、前記界面付近以外の塗布膜領域を所定の溶媒を用いて除去することにより薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
, G03F 7/26 511
H01L 21/30 563
, H01L 21/30 574
