特許
J-GLOBAL ID：200903092643377044
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151701
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 量産性に優れ、チップオンチップデバイスの製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 個別に切断される前のウェハ状態の複数個の半導体基板2上に半導体チップ1を実装し、その後、半導体基板2を個別に切断する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と上記半導体基板上に実装された半導体チップとを含む半導体装置の製造方法において、個別に切断される前のウェハ状態の複数個の半導体基板上に半導体チップを実装し、その後、上記半導体基板を個別に切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
