特許

J-GLOBAL ID：200903092644680387

面発光型レーザ素子及びその作製方法

発明者： 内山 誠治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292592
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349392
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 基板面での戻り光を抑制するような構成を備え、キンクの無い良好な光出力-注入電流特性を示すた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本面発光型レーザ素子200は、n型(100)GaAs基板上201に、n型GaAsバッファ層202、n型AlAs層203/n型GaAs層204の20から30ペアからなる反射鏡205、n型クラッド層206、活性層207、p型クラッド層208、p型AlAs層209/p型GaAs層210の20〜30ペアからなる反射鏡211、及びp型GaAsコンタクト層212からなる積層構造を備えている。基板の裏面にはn側電極213が、コンタクト層上にはp側電極214が形成されている。活性層の両側には電流狭窄領域214が設けられている。発光領域直下のGaAs基板201の基板面(下面)には、[11-0]方向に沿って延びる2面の(111)A面で構成されたV字溝215が形成されている。V字溝215の溝開口縁同士の間隔は、発光領域の幅の2倍、2Wである。

請求項（抜粋）：

基板に透明な波長のレーザ光を発振する発光領域を有する共振器構造を基板上に備え、レーザ光を基板に直交する方向に出射する面発光型レーザ素子において、基板が、(100)面を主面とする基板、又は(100)面に対して傾斜角が所定角度以下の角度で傾斜した面を主面とする基板であって、(111)A面からなる傾斜面を有する形状部が、発光領域直下の基板裏面領域に形成されていることを特徴とする面発光型レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA65 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073DA22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA16 ,  5F073EA26