スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270473
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091667
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】多重膜構造のピン磁性層を有するシンセティック型のスピンバルブMRセンサにおいて、高い磁気抵抗変化率とセンサ感度とを確保し、高記録密度化を達成する。【解決手段】基板上にフリー磁性層7と、磁性結合膜52を挟んで積層しかつ互いに反強磁性的に結合させた第1及び第2の強磁性膜51、53からなるピン磁性層5と、これら両磁性層間に挟まれた非磁性導電層6と、ピン磁性層に隣接する反強磁性層4とが積層され、かつ反強磁性層に隣接する第1の強磁性膜が高比抵抗のCo系材料で形成されている。第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とにおいて、その飽和磁化と膜厚との積を実質的に等しくすると、ピン磁性層全体の磁気モーメントが見掛け上0になり、フリー磁性層への静磁的作用が解消又は低減される。【効果】第1強磁性膜へのセンス電流のシャントが抑制され、高い磁気抵抗変化率が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に積層した自由側磁性層と、固定側磁性層と、前記両磁性層間に挟まれた非磁性層と、前記固定側磁性層に隣接する反強磁性層とからなり、前記固定側磁性層が、非磁性結合膜を挟んで積層しかつ互いに反強磁性的に結合させた第1及び第2の強磁性膜からなり、前記反強磁性層に隣接する前記第1の強磁性膜が高比抵抗Co系材料で形成されていることを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗センサ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/32

FI (3件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 A

Fターム (12件)：

5D034BA03 , 5D034BA18 , 5D034BB01 , 5D034CA04 , 5D034CA06 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC01 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16

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