特許

J-GLOBAL ID：200903092649846941

X線マスク構造体とその製造方法、X線露光装置とその露光方法、及び、半導体デバイスとその製造方法

発明者： 千葉 啓子 ,  前原 広
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301803
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144591
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 X線マスク構造体のX線透過膜の光に対する透過率を高め、X線マスクと半導体の被露光基板との位置合わせの精度を上げる。【解決手段】 所望のパターンを有するX線吸収体3と、これを支持するX線透過膜2と、これらを保持する保持枠1とからなるX線マスク構造体の製造工程において、X線透過膜が、位置合わせに用いられる複数の光源からの光に対して高透過率を有するように、その膜厚を制御する。

請求項（抜粋）：

所望のパターンを有するX線吸収体、該吸収体を支持するX線透過膜、及びこれらを保持する保持枠を有するX線マスク構造体において、該X線透過膜が、その少なくとも位置合せに用いる領域において、位置合わせに用いられる複数の光源からの光に対し高透過率の膜厚を有することを特徴とするX線マスク構造体。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 531 E