特許
J-GLOBAL ID：200903092655356131
サーミスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山谷 晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325581
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162710
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】特性の安定した、非常に小型のサイズのサーミスタを提供すること。【解決手段】絶縁基板1上に、少なくとも2層の金属薄膜2、3を形成し、これら金属薄膜にレーザ光線を照射するとともに、照射を繰り返すことにより、これら金属薄膜の1部領域6を抵抗温度特性が負の金属酸化物としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、少なくとも2層の金属薄膜をその照射を繰り返す熱エネルギー線の照射することにより得られた、抵抗温度特性が負の金属酸化物薄膜で形成したことを特徴とするサーミスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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