特許

J-GLOBAL ID：200903092655954462

プラズマ処理装置

発明者： 野上 裕
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032511
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232114
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波を伝送路によって伝送して利用するプラズマ処理装置において、イオンや中性活性種による処理が均一なものにできるようにする。【構成】 マイクロ波を伝送する伝送路1の終端を分岐させて二つの分岐矩形導波管12を配置し、各々の分岐矩形導波管12に貫通させるようにして絶縁性のガスパイプ21を配置する。ガスパイプ21にはガス導入系2によってプラズマ形成用ガスが導入されて、マイクロ波の結合によってプラズマが形成される。各々のガスパイプ21の下流側に延びる延長部211はガイド手段を構成し、プラズマにより生成されたイオンや中性活性種を下方の処理容器5まで運ぶ。各々の延長部211は、処理する基板30の表面に対して均等な位置に設けられ、イオンや中性活性種は処理容器5の内部を均一に拡散して基板30に達する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発振器と、このマイクロ波発振器が発振したマイクロ波を伝送する伝送路と、プラズマ形成用ガスを導くガス導入系と、基板を保持する基板ホルダとを具備し、プラズマ形成用ガスにマイクロ波が結合してプラズマが形成される領域であるプラズマ形成領域が基板に対向した位置において複数形成されるように、前記伝送路は、基板に対向した複数のプラズマ形成領域の各々までマイクロ波を導くものであり、前記ガス導入系は、これらのプラズマ形成領域の各々にプラズマ形成用ガスを導くものであり、さらに、各々のプラズマ形成領域で生成されたイオン又は中性活性種を前記基板ホルダに保持された基板に導く複数のガイド手段が、処理する基板の表面に対して均等な位置に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/46 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-205533
  
• 特開昭63-080522
  
• 特開平3-285548